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  5. FQPF1N50

ON Semiconductor - FQPF1N50

KEY Part #: K6413636

[8402pcs Estoque]

    Número da peça:
    FQPF1N50
    Fabricante:
    ON Semiconductor
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 500V 0.9A TO-220F.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in ON Semiconductor FQPF1N50 electronic components. FQPF1N50 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQPF1N50, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQPF1N50 Atributos do produto

    Número da peça : FQPF1N50
    Fabricante : ON Semiconductor
    Descrição : MOSFET N-CH 500V 0.9A TO-220F
    Series : QFET®
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 500V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 900mA (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 Ohm @ 450mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 5.5nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±30V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 150pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 16W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Through Hole
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220F
    Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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