IRFR1018EPBF Preços (USD) [762pcs Estoque]
- 1 pcs$0.74840
- 10 pcs$0.66478
- 100 pcs$0.52530
- 500 pcs$0.40738
- 1,000 pcs$0.30423
- Número da peça:
- IRFR1018EPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 79A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
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IRFR1018EPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFR1018EPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 79A DPAK
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
56A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
69nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2290pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
110W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D-Pak
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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