RSS100N03FU6TB Preços (USD) [1225pcs Estoque]
- 2,500 pcs$0.24667
- Número da peça:
- RSS100N03FU6TB
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor RSS100N03FU6TB electronic components. RSS100N03FU6TB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RSS100N03FU6TB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RSS100N03FU6TB Atributos do produto
Número da peça :
RSS100N03FU6TB
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 5V
Vgs (máx.) :
20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1070pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2W (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SOP
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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