AUIRF1018E Preços (USD) [73688pcs Estoque]
- 1 pcs$0.53063
- 1,000 pcs$0.48681
- Número da peça:
- AUIRF1018E
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Unijunction Programável and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies AUIRF1018E electronic components. AUIRF1018E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRF1018E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
AUIRF1018E Atributos do produto
Número da peça :
AUIRF1018E
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
79A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
69nC @ 10V
Vgs (máx.) :
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2290pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
110W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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