IRFIB41N15DPBF Preços (USD) [71972pcs Estoque]
- 1 pcs$0.54327
- 2,000 pcs$0.52154
- Número da peça:
- IRFIB41N15DPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 150V 41A TO220FP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Módulos de driver de energia, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFIB41N15DPBF electronic components. IRFIB41N15DPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFIB41N15DPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFIB41N15DPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFIB41N15DPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 150V 41A TO220FP
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
41A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
45 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
110nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2520pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
48W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB Full-Pak
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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