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  5. FDS3612

ON Semiconductor - FDS3612

KEY Part #: K6411294

[13840pcs Estoque]

    Número da peça:
    FDS3612
    Fabricante:
    ON Semiconductor
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Single, Tiristores - TRIACs, Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - IGBTs - Single ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in ON Semiconductor FDS3612 electronic components. FDS3612 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDS3612, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDS3612 Atributos do produto

    Número da peça : FDS3612
    Fabricante : ON Semiconductor
    Descrição : MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
    Series : PowerTrench®
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.4A (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 3.4A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 632pF @ 50V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOIC
    Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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