Infineon Technologies - IRFH5303TRPBF

KEY Part #: K6406535

[8647pcs Estoque]


    Número da peça:
    IRFH5303TRPBF
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 30V 82A 8-PQFN.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Tiristores - TRIACs ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFH5303TRPBF Atributos do produto

    Número da peça : IRFH5303TRPBF
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrição : MOSFET N-CH 30V 82A 8-PQFN
    Series : HEXFET®
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 23A (Ta), 82A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 49A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 50µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2190pF @ 15V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 3.6W (Ta), 46W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-PQFN (5x6)
    Pacote / caso : 8-PowerVDFN