Infineon Technologies - IRLR8726PBF

KEY Part #: K6406511

IRLR8726PBF Preços (USD) [1295pcs Estoque]

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Número da peça:
IRLR8726PBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLR8726PBF Atributos do produto

Número da peça : IRLR8726PBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Series : HEXFET®
Status da Peça : Discontinued at Digi-Key
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 86A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2150pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 75W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-Pak
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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