[1354pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRLHM630TR2PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 21A PQFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRLHM630TR2PBF electronic components. IRLHM630TR2PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLHM630TR2PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRLHM630TR2PBF Atributos do produto
Número da peça :
IRLHM630TR2PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
21A (Ta), 40A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
62nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3170pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.7W (Ta), 37W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PQFN (3x3)
Pacote / caso :
8-VQFN Exposed Pad
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