HAT2279H-EL-E Preços (USD) [71063pcs Estoque]
- 1 pcs$0.58654
- 2,500 pcs$0.58363
- Número da peça:
- HAT2279H-EL-E
- Fabricante:
- Renesas Electronics America
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Single and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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HAT2279H-EL-E Atributos do produto
Número da peça :
HAT2279H-EL-E
Fabricante :
Renesas Electronics America
Descrição :
MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK
Series :
-
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
30A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
60nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3520pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
25W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
LFPAK
Pacote / caso :
SC-100, SOT-669
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