Número da peça :
TPN14006NH,L1Q
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
13A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 200µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1300pF @ 30V
Dissipação de energia (máx.) :
700mW (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacote / caso :
8-PowerVDFN