SI2312BDS-T1-GE3 Preços (USD) [529776pcs Estoque]
- 1 pcs$0.06982
- 3,000 pcs$0.06317
- Número da peça:
- SI2312BDS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - RF, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
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SI2312BDS-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SI2312BDS-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.9A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
31 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
850mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
750mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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