[2183pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRFH5220TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFH5220TRPBF electronic components. IRFH5220TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH5220TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFH5220TRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFH5220TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.8A (Ta), 20A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
99.9 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1380pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PQFN (5x6)
Pacote / caso :
8-VQFN Exposed Pad
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