RCD100N19TL Preços (USD) [202426pcs Estoque]
- 1 pcs$0.20200
- 2,500 pcs$0.20099
- Número da peça:
- RCD100N19TL
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 190V 10A CPT3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor RCD100N19TL electronic components. RCD100N19TL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RCD100N19TL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RCD100N19TL Atributos do produto
Número da peça :
RCD100N19TL
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
Series :
-
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
190V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
182 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
52nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2000pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
850mW (Ta), 20W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
CPT3
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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