Infineon Technologies - IRLR6225TRPBF

KEY Part #: K6420411

IRLR6225TRPBF Preços (USD) [192172pcs Estoque]

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Número da peça:
IRLR6225TRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLR6225TRPBF Atributos do produto

Número da peça : IRLR6225TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 21A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 72nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3770pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 63W (Tc)
Temperatura de operação : -50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-Pak
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63