Rohm Semiconductor - RQ3E150MNTB1

KEY Part #: K6420397

RQ3E150MNTB1 Preços (USD) [190859pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.21424
  • 3,000 pcs$0.21317

Número da peça:
RQ3E150MNTB1
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - TRIACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RQ3E150MNTB1 Atributos do produto

Número da peça : RQ3E150MNTB1
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 15A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2W (Ta)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-HSMT (3.2x3)
Pacote / caso : 8-PowerVDFN

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