TK35S04K3L(T6L1,NQ Preços (USD) [180543pcs Estoque]
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- 2,000 pcs$0.22536
- Número da peça:
- TK35S04K3L(T6L1,NQ
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
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TK35S04K3L(T6L1,NQ Atributos do produto
Número da peça :
TK35S04K3L(T6L1,NQ
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3
Series :
U-MOSIV
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
35A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.3 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
28nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1370pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
58W (Tc)
Temperatura de operação :
175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DPAK+
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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