Vishay Siliconix - SQS460EN-T1_GE3

KEY Part #: K6420019

SQS460EN-T1_GE3 Preços (USD) [152066pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.24323
  • 3,000 pcs$0.20556

Número da peça:
SQS460EN-T1_GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 8A.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de driver de energia, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQS460EN-T1_GE3 Atributos do produto

Número da peça : SQS460EN-T1_GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 60V 8A
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 36 mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 755pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 39W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® 1212-8
Pacote / caso : PowerPAK® 1212-8

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