[13349pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRLR4343TR
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 55V 26A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRLR4343TR electronic components. IRLR4343TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLR4343TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRLR4343TR Atributos do produto
Número da peça :
IRLR4343TR
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
26A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
740pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
79W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D-Pak
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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