Infineon Technologies - IPC60R099C6X1SA1

KEY Part #: K6417189

IPC60R099C6X1SA1 Preços (USD) [25623pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.61642
  • 4,077 pcs$1.60838

Número da peça:
IPC60R099C6X1SA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH BARE DIE.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPC60R099C6X1SA1 Atributos do produto

Número da peça : IPC60R099C6X1SA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH BARE DIE
Series : *
Status da Peça : Active
Tipo FET : -
Tecnologia : -
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : -
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : -
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : -
Temperatura de operação : -
Tipo de montagem : -
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : -
Pacote / caso : -

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