ON Semiconductor - NTLJD3182FZTBG

KEY Part #: K6407644

[903pcs Estoque]


    Número da peça:
    NTLJD3182FZTBG
    Fabricante:
    ON Semiconductor
    Descrição detalhada:
    MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - JFETs ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTLJD3182FZTBG Atributos do produto

    Número da peça : NTLJD3182FZTBG
    Fabricante : ON Semiconductor
    Descrição : MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : P-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.2A (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 7.8nC @ 4.5V
    Vgs (máx.) : ±8V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 450pF @ 10V
    Recurso FET : Schottky Diode (Isolated)
    Dissipação de energia (máx.) : 710mW (Ta)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 6-WDFN (2x2)
    Pacote / caso : 6-WDFN Exposed Pad

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