[8625pcs Estoque]
- Número da peça:
- IPI80CN10N G
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPI80CN10N G electronic components. IPI80CN10N G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPI80CN10N G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPI80CN10N G Atributos do produto
Número da peça :
IPI80CN10N G
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
13A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
80 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 12µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
716pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
31W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO262-3
Pacote / caso :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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