Infineon Technologies - IRF3711ZL

KEY Part #: K6413882

[8393pcs Estoque]


    Número da peça:
    IRF3711ZL
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 20V 92A TO-262.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Módulos de driver de energia and Transistores - IGBTs - Single ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Infineon Technologies IRF3711ZL electronic components. IRF3711ZL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF3711ZL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF3711ZL Atributos do produto

    Número da peça : IRF3711ZL
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrição : MOSFET N-CH 20V 92A TO-262
    Series : HEXFET®
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 92A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 15A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.45V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 4.5V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2150pF @ 10V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 79W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Tipo de montagem : Through Hole
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-262
    Pacote / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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