Infineon Technologies - IRFR2307Z

KEY Part #: K6412360

[13472pcs Estoque]


    Número da peça:
    IRFR2307Z
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 75V 42A DPAK.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Módulos de driver de energia, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Infineon Technologies IRFR2307Z electronic components. IRFR2307Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR2307Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFR2307Z Atributos do produto

    Número da peça : IRFR2307Z
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrição : MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
    Series : HEXFET®
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 75V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 42A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 32A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 75nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2190pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 110W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-Pak
    Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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