[13211pcs Estoque]
- Número da peça:
- FQD2N80TM_WS
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FQD2N80TM_WS electronic components. FQD2N80TM_WS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD2N80TM_WS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQD2N80TM_WS Atributos do produto
Número da peça :
FQD2N80TM_WS
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Series :
QFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.3 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
550pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D-Pak
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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