TPC6110(TE85L,F,M) Preços (USD) [395690pcs Estoque]
- 1 pcs$0.10334
- 3,000 pcs$0.10283
- Número da peça:
- TPC6110(TE85L,F,M)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Módulos de driver de energia, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
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TPC6110(TE85L,F,M) Atributos do produto
Número da peça :
TPC6110(TE85L,F,M)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6
Series :
U-MOSVI
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
56 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 10V
Vgs (máx.) :
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
510pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
700mW (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
VS-6 (2.9x2.8)
Pacote / caso :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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