FCD1300N80Z Preços (USD) [121505pcs Estoque]
- 1 pcs$0.30441
- 5,000 pcs$0.30439
- Número da peça:
- FCD1300N80Z
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V 4A TO252.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FCD1300N80Z electronic components. FCD1300N80Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCD1300N80Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FCD1300N80Z Atributos do produto
Número da peça :
FCD1300N80Z
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 4A TO252
Series :
SuperFET® II
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 400µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
21nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
880pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
52W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DPAK
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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