FCD260N65S3 Preços (USD) [117363pcs Estoque]
- 1 pcs$0.31515
- Número da peça:
- FCD260N65S3
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 260MOHM TO252.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Módulos de driver de energia, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FCD260N65S3 electronic components. FCD260N65S3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCD260N65S3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FCD260N65S3 Atributos do produto
Número da peça :
FCD260N65S3
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 260MOHM TO252
Series :
SuperFET® III
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
260 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1.2mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
24nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1010pF @ 400V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
90W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252, (D-Pak)
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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