ON Semiconductor - FCD7N60TM-WS

KEY Part #: K6397394

FCD7N60TM-WS Preços (USD) [87467pcs Estoque]

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Número da peça:
FCD7N60TM-WS
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Módulos de driver de energia, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCD7N60TM-WS Atributos do produto

Número da peça : FCD7N60TM-WS
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Series : SuperFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 920pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 83W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-Pak
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63