FCD3400N80Z Preços (USD) [183026pcs Estoque]
- 1 pcs$0.20209
- 2,500 pcs$0.18089
- Número da peça:
- FCD3400N80Z
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V 2A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
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FCD3400N80Z Atributos do produto
Número da peça :
FCD3400N80Z
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Series :
SuperFET® II
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 200µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
9.6nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
400pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
32W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DPAK
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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