NDS356AP Preços (USD) [597503pcs Estoque]
- 1 pcs$0.06305
- 3,000 pcs$0.06274
- Número da peça:
- NDS356AP
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - TRIACs and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
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NDS356AP Atributos do produto
Número da peça :
NDS356AP
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
4.4nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
280pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
500mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SuperSOT-3
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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