SI3458BDV-T1-GE3 Preços (USD) [239890pcs Estoque]
- 1 pcs$0.15419
- 3,000 pcs$0.14509
- Número da peça:
- SI3458BDV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI3458BDV-T1-GE3 electronic components. SI3458BDV-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3458BDV-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI3458BDV-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SI3458BDV-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
350pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2W (Ta), 3.3W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
6-TSOP
Pacote / caso :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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