FDG311N Preços (USD) [529955pcs Estoque]
- 1 pcs$0.07014
- 3,000 pcs$0.06979
- Número da peça:
- FDG311N
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDG311N electronic components. FDG311N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDG311N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDG311N Atributos do produto
Número da peça :
FDG311N
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.9A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
115 mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
4.5nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
270pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
750mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SC-88 (SC-70-6)
Pacote / caso :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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