Infineon Technologies - IRF5803TRPBF

KEY Part #: K6416164

IRF5803TRPBF Preços (USD) [402865pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.09181
  • 3,000 pcs$0.07930

Número da peça:
IRF5803TRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF5803TRPBF Atributos do produto

Número da peça : IRF5803TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 112 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 37nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1110pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Micro6™(TSOP-6)
Pacote / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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