IRF5802TRPBF Preços (USD) [420018pcs Estoque]
- 1 pcs$0.08806
- 3,000 pcs$0.06959
- Número da peça:
- IRF5802TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF5802TRPBF electronic components. IRF5802TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF5802TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF5802TRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRF5802TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
900mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 Ohm @ 540mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
6.8nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
88pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Micro6™(TSOP-6)
Pacote / caso :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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