ON Semiconductor - FDMS86581-F085

KEY Part #: K6416153

FDMS86581-F085 Preços (USD) [239086pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.15470

Número da peça:
FDMS86581-F085
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CHANNEL 60V 30A 8PQFN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS86581-F085 Atributos do produto

Número da peça : FDMS86581-F085
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CHANNEL 60V 30A 8PQFN
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 881pF @ 30V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 50W (Tj)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-PQFN (5x6)
Pacote / caso : 8-PowerTDFN

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