Vishay Siliconix - SUP85N15-21-E3

KEY Part #: K6400593

SUP85N15-21-E3 Preços (USD) [15255pcs Estoque]

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  • 10 pcs$2.10390
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  • 500 pcs$1.39699
  • 1,000 pcs$1.17819

Número da peça:
SUP85N15-21-E3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SUP85N15-21-E3 Atributos do produto

Número da peça : SUP85N15-21-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 85A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4750pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.4W (Ta), 300W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB
Pacote / caso : TO-220-3