Texas Instruments - CSD17575Q3T

KEY Part #: K6400658

CSD17575Q3T Preços (USD) [122185pcs Estoque]

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Número da peça:
CSD17575Q3T
Fabricante:
Texas Instruments
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Single and Tiristores - TRIACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD17575Q3T Atributos do produto

Número da peça : CSD17575Q3T
Fabricante : Texas Instruments
Descrição : MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Series : NexFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 60A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4420pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.8W (Ta), 108W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Pacote / caso : 8-PowerTDFN