Texas Instruments - CSD17555Q5A

KEY Part #: K6400651

CSD17555Q5A Preços (USD) [124860pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.29771
  • 2,500 pcs$0.29623

Número da peça:
CSD17555Q5A
Fabricante:
Texas Instruments
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Módulos de driver de energia, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD17555Q5A Atributos do produto

Número da peça : CSD17555Q5A
Fabricante : Texas Instruments
Descrição : MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
Series : NexFET™
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 24A (Ta), 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.9V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 28nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4650pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-VSONP (5x6)
Pacote / caso : 8-PowerTDFN