CSD13306WT Preços (USD) [259492pcs Estoque]
- 1 pcs$0.14254
- 250 pcs$0.12102
- 1,250 pcs$0.07530
- Número da peça:
- CSD13306WT
- Fabricante:
- Texas Instruments
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 12V 6DSBGA.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - TRIACs and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Texas Instruments CSD13306WT electronic components. CSD13306WT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD13306WT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CSD13306WT Atributos do produto
Número da peça :
CSD13306WT
Fabricante :
Texas Instruments
Descrição :
MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
Series :
NexFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
11.2nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1370pF @ 6V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.9W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
6-DSBGA (1x1.5)
Pacote / caso :
6-UFBGA, DSBGA
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