Texas Instruments - CSD18536KCS

KEY Part #: K6400525

CSD18536KCS Preços (USD) [20781pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.19028
  • 10 pcs$1.95495
  • 100 pcs$1.60296
  • 500 pcs$1.29801
  • 1,000 pcs$1.03857

Número da peça:
CSD18536KCS
Fabricante:
Texas Instruments
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Solteiro and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD18536KCS Atributos do produto

Número da peça : CSD18536KCS
Fabricante : Texas Instruments
Descrição : MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3
Series : NexFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 200A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 108nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 11430pF @ 30V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 375W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220-3
Pacote / caso : TO-220-3

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