Nexperia USA Inc. - PMPB10XNEZ

KEY Part #: K6416171

PMPB10XNEZ Preços (USD) [440888pcs Estoque]

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Número da peça:
PMPB10XNEZ
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 20V SOT1220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMPB10XNEZ Atributos do produto

Número da peça : PMPB10XNEZ
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET N-CH 20V SOT1220
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2175pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DFN2020MD-6
Pacote / caso : 6-UDFN Exposed Pad

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