Transphorm - TP65H035WSQA

KEY Part #: K6396073

TP65H035WSQA Preços (USD) [4296pcs Estoque]

  • 1 pcs$10.08141

Número da peça:
TP65H035WSQA
Fabricante:
Transphorm
Descrição detalhada:
GANFET N-CH 650V 47A TO247-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - TRIACs, Tiristores - SCRs, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TP65H035WSQA Atributos do produto

Número da peça : TP65H035WSQA
Fabricante : Transphorm
Descrição : GANFET N-CH 650V 47A TO247-3
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 47A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 41 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.8V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1500pF @ 400V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 187W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247
Pacote / caso : TO-247-3