ON Semiconductor - FDD14AN06LA0-F085

KEY Part #: K6396047

FDD14AN06LA0-F085 Preços (USD) [126622pcs Estoque]

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Número da peça:
FDD14AN06LA0-F085
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 9.5A DPAK-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD14AN06LA0-F085 Atributos do produto

Número da peça : FDD14AN06LA0-F085
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 60V 9.5A DPAK-3
Series : Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9.5A (Ta), 50A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2810pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 125W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252AA
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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