DMG4N60SCT Preços (USD) [118621pcs Estoque]
- 1 pcs$0.31337
- 50 pcs$0.31181
- Número da peça:
- DMG4N60SCT
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET NCH 600V 4.5A TO220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMG4N60SCT electronic components. DMG4N60SCT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG4N60SCT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMG4N60SCT Atributos do produto
Número da peça :
DMG4N60SCT
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET NCH 600V 4.5A TO220
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
14.3nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
532pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
113W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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