IPP80R750P7XKSA1 Preços (USD) [50279pcs Estoque]
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- 10 pcs$0.69572
- 100 pcs$0.55908
- 500 pcs$0.43486
- 1,000 pcs$0.34083
- Número da peça:
- IPP80R750P7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V 7A TO220-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Propósito Específico, Diodos - RF and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPP80R750P7XKSA1 electronic components. IPP80R750P7XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP80R750P7XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPP80R750P7XKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPP80R750P7XKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 7A TO220-3
Series :
CoolMOS™ P7
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
750 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 140µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
460pF @ 500V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
51W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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