Rohm Semiconductor - R6009KNX

KEY Part #: K6398714

R6009KNX Preços (USD) [59189pcs Estoque]

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Número da peça:
R6009KNX
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

R6009KNX Atributos do produto

Número da peça : R6009KNX
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 535 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 16.5nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 540pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 48W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220FM
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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