Microchip Technology - VP3203N3-G

KEY Part #: K6398792

VP3203N3-G Preços (USD) [66326pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.60206
  • 25 pcs$0.50055
  • 100 pcs$0.45657

Número da peça:
VP3203N3-G
Fabricante:
Microchip Technology
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VP3203N3-G Atributos do produto

Número da peça : VP3203N3-G
Fabricante : Microchip Technology
Descrição : MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 650mA (Tj)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 10mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 740mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-92-3
Pacote / caso : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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