ON Semiconductor - FDMS039N08B

KEY Part #: K6397551

FDMS039N08B Preços (USD) [80708pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.48447
  • 3,000 pcs$0.46566

Número da peça:
FDMS039N08B
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 80V 19.4A POWER56.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs, Módulos de driver de energia, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Propósito Específico and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS039N08B Atributos do produto

Número da peça : FDMS039N08B
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 80V 19.4A POWER56
Series : PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 19.4A (Ta), 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 100nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 7600pF @ 40V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-PQFN (5x6)
Pacote / caso : 8-PowerTDFN

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