FCD2250N80Z Preços (USD) [152236pcs Estoque]
- 1 pcs$0.24296
- 5,000 pcs$0.23145
- Número da peça:
- FCD2250N80Z
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FCD2250N80Z electronic components. FCD2250N80Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCD2250N80Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FCD2250N80Z Atributos do produto
Número da peça :
FCD2250N80Z
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3
Series :
SuperFET® II
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.25 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 260µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
585pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
39W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D-Pak
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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